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Richtek

600V, 2A N沟道MOSFET

RM02N60A0

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RM02N60A0是600V 2A的N沟道MOSFET,具有很低的导通电阻和卓越的开关特性,适用于各种开关电源、逆变器、电机驱动控制器和AC-DC适配器等应用中。

应用

主要规格
RM02N60A0
Status Active
Drain to Source Breakdown Voltage, BVDSS (V) 600
Maximum Gate-to-Source Voltage, Max VGS (V) 30
Drain-to-Source On-Resistance, Max RDS_ON (ohm) 4.5
Features Low Qrr Type
Package Type TO-252
关键特性
  • 开关速度快
  • 低导通电阻 (RDS(ON) ≤ 4.5Ω)
  • 门极电荷低 (典型值:8.5nC)
  • 反向转移电容低 (典型值:5.4pF)
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