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RT7241A 为 DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4 内存系统提供了完整的电源供应,其集成了一个先进固定导通时间(ACOT)模式的同步降压型转换器和一个具有1.5A电流吐纳能力的追踪型线性稳压器。其中的 PWM 转换器为笔记本电脑的 RAM 内存部分提供了将电池高电压转换为低压供电的高效率方案,具有低静态供应电流、优异的瞬态回应能力和极高的输出电压精度。它所采用的先进固定导通时间控制架构能很容易地面对很宽的输入/输出电压比率范围,并提供了一个非常快速的负载瞬态响应,无需外部补偿。具有 1.5A 电流吐纳能力的线性稳压器仅需使用 10μF 的陶瓷电容即可维持其快速瞬态回应特性。RT7241A 支持所有的睡眠状态控制功能:在S3状态下置 VTT 于高阻状态;在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTT进行放电操作。RT7241A 提供了完整的保护特性,包含过流保护、过压保护、欠压保护及热关机功能,其封装为 UQFN-18L 3x4 。
DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4完整的解决方案
PWM转换器 (VDDQ)►100μA低静电供应电流@S3模式►ACOTTM模式提供快速瞬态响应►支持MLCC输出电容►集成低导通电阻 MOSFET
17mΩ高侧MOSFET
4.5mΩ低侧MOSFET►0.6~1.5V可调节输出范围 : 1.5V (DDR3), 1.35V (DDR3L), 1.2V (LPDDR3) 和 1.2V (DDR4)►4.5~23V电池输入范围►500kHz开关频率►电阻可调节的谷底电流限制►过压/欠压保护►内部电压斜坡软启动►电源良好信号指示
1.5A LDO (VTT)►具有1.5A电流吐纳能力►LDO 输入可用于优化功率耗损►仅需要10μF陶瓷输出电容►集成分压器使 VTT 追踪 1/2 VDDQ►VTT电压精准度±20mV ►支持高阻状态的S3及软关机的 S4/S5
追踪模式的放电控制
热始能覆晶封装(FC)用于12A VDDQ 转换器和1.5A VTT LDO
符合RoHS规范,不含卤素
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