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RT8207K 集成了一个同步 Buck 架构的 PWM 控制器、一个具有 1.5A 电流吐纳能力的追踪型线性稳压器和有缓冲的低噪声参考源,可为 DDR2/DDR3/LPDDR3/DDR4 内存系统提供完整的电源供应。PWM 控制器具有低电流消耗、高效率、卓越的瞬态回应和高输出精度等特性,可用于笔记本电脑将电池高压转换为低压为内存系统供电。该控制器采用固定导通时间的 PWM 控制架构,可以在极宽 VIN/VOUT 比的情况下工作,使用方便,面对负载瞬变时具有快达 100ns 的“实时”响应能力,同时保持基本固定的工作频率。由于省略了传统的电流模式 PWM 控制器中常见的电流检测电阻,RT8207K 在降低了成本的情况下,还能获得更高的效率。由于具有驱动大型同步整流 MOSFET 开关的能力,转换效率也得到了进一步提高,使得该转换器可以极高的效率直接从电池取电为系统供电。具有 1.5A 电流吐纳能力的低压差线性稳压器具有快速的瞬态响应能力,只需使用 20μF 的陶瓷输出电容即可保持稳定工作。它还可以使用外来的电源输入,因而可以最大化地降低总的功率损耗。RT8207K 支持所有的睡眠状态控制方法,可在 S3 期间将 VTT 置于高阻状态,在 S4/S5 期间对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电操作(软关机)。RT8207K 具有包括热关机在内的所有保护特性,其封装为 WQFN-20L 3x3。
PWM 控制器► 下桥 RDS(ON) 检测方式的可调电流限制► 100ns 快速瞬态响应能力► 全输入、负载范围内 1% VVDDQ 电压精度► 固定 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3) 或 0.75V~3.3V 可调输出范围,可供 1.35V (低功耗 DDR3) 和 1.2V (DDR4)应用► 输入电压范围:4.5V~26V► 工作频率由电阻调节► 过压/欠压保护► 内置软启动 ► 可驱动大型同步整流 MOSFETs► Power Good 指示
1.5A LDO (VTT),带缓冲的参考源(VTTREF)► 高达 1.5A 电流吐纳能力► 外部 输入可选,优化功率损失► 集成分压器使 VTT 和 VTTREF 追踪 1/2 VDDQ► 支持 S3 的高阻状态和 S4/S5 的软关机操作
符合 RoHS 规范,不含卤素
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