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RT8248A為DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4記憶體系統提供了完整的電源供應,其中集成了一個同步Buck架構的PWM控制器和一個具有1.5A電流吐納能力的追蹤型線性穩壓器,還有一個經過緩衝處理的低雜訊參考電壓源。其中的PWM控制器為筆記型電腦的RAM記憶體部分提供了將電池高電壓轉換為低壓供電的高效率方案,具有優異的瞬態回應能力和極高的輸出電壓精度。它所採用的固定導通時間PWM控制架構能很容易地面對很寬的輸入/輸出電壓比率範圍,能在維持相對穩定的工作頻率情況下以快達100ns的即時回應能力對負載瞬變做出回應。RT8248A拋棄了傳統電流模式PWM控制器中使用電阻進行電流檢測的方式,降低了成本,提高了效率。由於具備驅動大功率同步整流MOSFET的能力,其效率也得到了改善。其Buck架構容許將很高的電池電壓直接轉換為系統需要的電壓也對效率提升做出了貢獻。具有1.5A電流吐納能力的線性穩壓器僅需使用10μF的陶瓷電容即可維持其快速瞬態回應特性,它還容許使用外部電源輸入以最大限度的減少總的功率消耗。RT8248A支援所有的睡眠狀態控制功能:在S3狀態下置 VTT 于高阻狀態;在S4/S5狀態下對VDDQ、VTT和VTTREF進行放電操作(軟關機)。RT8248A包含了所有的保護特性,熱關機功能也包含其中,其封裝為WQFN-24L 4x4和WQFN-20L 3x3。
PWM 控制器►下橋 RDS(ON) 電流檢測,電阻可程式設計電流限制 ►低靜態電流 ►100ns快速步階負載響應 ►全輸入電壓/負載範圍內的1% VOUT 精度►1.8V(DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V(DDR3L)、1.2V(LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)固定電壓輸出或0.675V~3.3V可調電壓輸出►電池電壓輸入範圍:4.5V~26V►電阻可程式設計工作頻率►過壓/欠壓保護►軟啟動期間有內部電流限制斜波►具備驅動大功率同步整流 MOSFET 的能力►電源狀態指示
1.5A 線性穩壓器( VTT ),帶緩衝的參考電壓( VTTREF )►高達 1.5A 的電流吐納能力►容許LDO輸入以最小化功率消耗►僅需10μF輸出陶瓷電容►為 VTT 和 VTTREF 集成分壓器追蹤 1/2 VDDQ►帶緩衝的低雜訊 10mA VTTREF 輸出►遠端電壓檢測( VTTSNS )►VTTREF 和 VTT 電壓精度為 ±20mV►支援 S3 狀態下的高阻狀態和 S4/S5 狀態下的軟關斷過程
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