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RT8207K 集成了一个同步 Buck 架构的 PWM 控制器、一个具有 1.5A 电流吐纳能力的追踪型线性稳压器和有缓冲的低杂讯参考源，可为 DDR2/DDR3/LPDDR3/DDR4 记忆体系统提供完整的电源供应。PWM 控制器具有低电流消耗、高效率、卓越的瞬态回应和高输出精度等特性，可用于笔记型电脑将电池高压转换为低压为记忆体系统供电。该控制器采用固定导通时间的 PWM 控制架构，可以在极宽 VIN/VOUT 比的情况下工作，使用方便，面对负载瞬变时具有快达 100ns 的“即时”回应能力，同时保持基本固定的工作频率。由于省略了传统的电流模式 PWM 控制器中常见的电流检测电阻，RT8207K 在降低了成本的情况下，还能获得更高的效率。由于具有驱动大型同步整流 MOSFET 开关的能力，转换效率也得到了进一步提高，使得该转换器可以极高的效率直接从电池取电为系统供电。具有 1.5A 电流吐纳能力的低压差线性稳压器具有快速的瞬态回应能力，只需使用 20μF 的陶瓷输出电容即可保持稳定工作。它还可以使用外来的电源输入，因而可以最大化地降低总的功率损耗。RT8207K 支援所有的睡眠状态控制方法，可在 S3 期间将 VTT 置于高阻状态，在 S4/S5 期间对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电操作（软关机）。RT8207K 具有包括热关机在内的所有保护特性，其封装为 WQFN-20L 3x3。
RT8207K 电路图
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>PWM 控制器 <ul class="lv2"> <li></li><li>下桥 R<sub>DS(ON)</sub> 检测方式的可调电流限制 </li><li>100ns 快速瞬态回应能力 </li><li>全输入、负载范围内 1% V<sub>VDDQ</sub> 电压精度 </li><li>固定 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3) 或 0.75V~3.3V 可调输出范围，可供 1.35V (低功耗 DDR3) 和 1.2V (DDR4)应用 </li><li>输入电压范围：4.5V~26V </li><li>工作频率由电阻调节 </li><li>过压/欠压保护 </li><li>内置软启动 </li><li>可驱动大型同步整流 MOSFETs </li><li>Power Good 指示 </li></ul> </li><li>1.5A LDO (VTT)，带缓冲的参考源(VTTREF) <ul class="lv2"> <li></li><li>高达 1.5A 电流吐纳能力 </li><li>外部 输入可选，优化功率损失 </li><li>集成分压器使 VTT 和 VTTREF 追踪 1/2 VDDQ </li><li>支援 S3 的高阻状态和 S4/S5 的软关机操作 </li></ul> </li><li>符合 RoHS 规范，不含卤素 </li></ul></div>
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>DDR1/2/3/低功耗DDR3/DDR4 记忆体电源 </li><li>笔记型电脑 </li><li>SSTL18, SSTL15 和 HSTL 汇流排终端 </li></ul></div>
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