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RT7241 為 DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4 記憶體系統提供了完整的電源供應，其集成了一個先進固定導通時間(ACOT)模式的同步降壓型轉換器和一個具有1.5A電流吐納能力的追蹤型線性穩壓器。</br>其中的 PWM 轉換器為筆記型電腦的 RAM 記憶體部分提供了將電池高電壓轉換為低壓供電的高效率方案，具有低靜態供應電流、優異的瞬態回應能力和極高的輸出電壓精度。它所採用的先進固定導通時間控制架構能很容易地面對很寬的輸入/輸出電壓比率範圍，並提供了一個非常快速的負載瞬態響應，無需外部補償。</br>具有 1.5A 電流吐納能力的線性穩壓器僅需使用 10μF 的陶瓷電容即可維持其快速瞬態回應特性。RT7241 支援所有的睡眠狀態控制功能：在S3狀態下置 VTT 于高阻狀態；在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTT進行放電操作。</br>RT7241 提供了完整的保護特性，包含過流保護、過壓保護、欠壓保護及熱關機功能，其封裝為 UQFN-18L 3x4 。
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4完整的解決方案 </li><li>PWM轉換器 (VDDQ) <ul class="lv2"> <li></li><li>100μA低靜電供應電流@S3模式 </li><li>ACOT<sup>TM</sup>模式提供快速瞬態響應 </li><li>支援MLCC輸出電容 </li><li>集成低導通電阻 MOSFET </li></ul> </li><li>17mΩ高側MOSFET </li><li>4.5mΩ低側MOSFET <ul class="lv2"> <li></li><li>0.6~1.5V可調節輸出範圍 : 1.5V (DDR3), 1.35V (DDR3L), 1.2V (LPDDR3) 和 1.2V (DDR4) </li><li>4.5~23V電池輸入範圍 </li><li>500kHz開關頻率 </li><li>電阻可調節的穀底電流限制 </li><li>過壓/欠壓保護 </li><li>內部電壓斜坡軟啟動 </li><li>電源良好信號指示 </li></ul> </li><li>1.5A LDO (VTT) <ul class="lv2"> <li></li><li>具有1.5A電流吐納能力 </li><li>LDO 輸入可用於優化功率耗損 </li><li>僅需要10μF陶瓷輸出電容 </li><li>集成分壓器使 VTT 追蹤 1/2 VDDQ </li><li>VTT電壓精準度±20mV </li><li>支援高阻狀態的S3及軟關機的 S4/S5 </li></ul> </li><li>追蹤模式的放電控制 </li><li>熱始能覆晶封裝(FC)用於12A VDDQ 轉換器和1.5A VTT LDO </li><li>符合RoHS規範，不含鹵素 </li></ul></div>
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