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RT8207 為 DDR II/DDRIII/低功耗DDRIII/DDRIV/低功耗DDRIV 記憶體系統提供了完整的電源供應，其中集成了一個同步 Buck 架構的 PWM 控制器和一個具有 1.5A 電流吐納能力的追蹤型線性穩壓器，還有一個經過緩衝處理的低雜訊參考電壓源。</br>其中的 PWM 控制器為筆記型電腦的 RAM 記憶體部分提供了將電池高電壓轉換為低壓供電的高效率方案，具有優異的瞬態回應能力和極高的輸出電壓精度。它所採用的固定導通時間 PWM 控制架構能很容易地面對很寬的輸入/輸出電壓比率範圍，能在維持相對穩定的工作頻率情況下以快達 100ns 的即時回應能力對負載瞬變做出回應。</br>RT8207 拋棄了傳統電流模式 PWM 控制器中使用電阻進行電流檢測的方式，降低了成本，提高了效率。由於具備驅動大功率同步整流 MOSFET 的能力，其效率也得到了改善。其 Buck 架構容許將很高的電池電壓直接轉換為系統需要的電壓也對效率提升做出了貢獻。</br>具有 1.5A 電流吐納能力的線性穩壓器僅需使用 20μF 的陶瓷電容即可維持其快速瞬態回應特性，它還容許使用外部電源輸入以最大限度的減少總的功率消耗。RT8207 支援所有的睡眠狀態控制功能：在 S3 狀態下置 VTT 于高阻狀態；在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF進行放電操作（軟關機）。</br>RT8207包含了所有的保護特性，熱關機功能也包含其中，其封裝為 WQFN-20L 3x3 。
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>PWM 控制器 <ul class="lv2"> <li></li><li>下橋 R<sub>DS(ON)</sub> 電流檢測，電阻可程式設計電流限制 </li><li>100ns 快速步階負載響應 </li><li>全輸入電壓/負載範圍內的1% V<sub>OUT</sub> 精度 </li><li>1.8V(DDRII)、1.5V(DDRIII)固定電壓輸出或 0.75V~3.3V 可調電壓輸出 </li><li>電池電壓輸入範圍： 4.5V~26V </li><li>電阻可程式設計工作頻率 </li><li>過壓/欠壓保護 </li><li>軟啟動期間有內部電流脈動限制 </li><li>具備驅動大功率同步整流 MOSFET 的能力 </li><li>電源狀態指示 </li></ul> </li><li>1.5A 線性穩壓器（ VTT ），帶緩衝的參考電壓（ VTTREF ） <ul class="lv2"> <li></li><li>高達 1.5A 的電流吐納能力 </li><li>容許選擇外部輸入以最小化功率消耗 </li><li>為 VTT 和 VTTREF 集成分壓器追蹤 1/2 VDDQ </li><li>帶緩衝的低雜訊 10mA VTTREF 輸出 </li><li>遠端電壓檢測（ VTTSNS ） </li><li>VTTREF 和 VTT 電壓精度為 ±20mV </li><li>支援 S3 狀態下的高阻狀態和 S4/S5 狀態下的軟關斷過程 </li></ul> </li><li>符合 RoHS 規範，不含鹵素 </li></ul></div>
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>DDRI/II/III/Low-Power DDRIII/DDRIV/Low-Power DDRIV Memory Power Supplies </li><li>Notebook Computers </li><li>SSTL18, SSTL15 and HSTL Bus Termination </li></ul></div>
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