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RT8231整合了一個同步 Buck 架構的 PWM 控制器、一個具有 1.5A 電流吐納能力的追蹤型線性穩壓器和有緩衝的低雜訊參考源，可為 DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 記憶體系統提供完整的電源供應。</br>PWM 控制器具有低電流消耗、高效率、卓越的瞬態回應和高輸出精度等特性，可用於筆記型電腦將電池高壓轉換為低壓為記憶體系統供電。該控制器採用固定導通時間的 PWM 控制架構，可以在極寬 VIN/VOUT 比的情況下工作，使用方便，面對負載瞬變時具有快達 100ns 的“即時”回應能力，同時保持基本固定的工作頻率。</br>由於省略了傳統的電流模式 PWM 控制器中常見的電流檢測電阻，RT8231 在降低了成本的情況下，還能獲得更高的效率。由於具有驅動大型同步整流 MOSFET 開關的能力，轉換效率也得到了進一步提高，使得該轉換器可以極高的效率直接從電池取電為系統供電。</br>具有 1.5A 電流吐納能力的低壓差線性穩壓器具有快速的瞬態回應能力，只需使用 10μF 的陶瓷輸出電容即可保持穩定工作。它還可以使用外來的電源輸入，因而可以最大化地降低總的功率損耗。</br>RT8231 支援所有的睡眠狀態控制方法，可在 S3 期間將 VTT 置於高阻狀態，在 S4/S5 期間對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電操作 (軟關機)。</br>RT8231 具有 OVP、UVP 和熱關機等保護特性，其封裝為 WQFN-20L 3x3。
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>PWM 控制器 <ul class="lv2"> <li></li><li>下橋 R<sub>DS(ON)</sub> 檢測方式的可調電流限制 </li><li>低靜態電流消耗 </li><li>100ns 快速瞬態回應能力 </li><li>全輸入、負載範圍內 1% V<sub>VDDQ</sub> 電壓精度 </li><li>0.675V至3.3V 可調輸出範圍，可供 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4) </li><li>輸入電壓範圍：4.5V至26V </li><li>工作頻率由電阻調節 </li><li>過壓/欠壓保護 </li><li>內置軟啟動 </li><li>可驅動大型同步整流 MOSFETs </li><li>Power Good 指示 </li></ul> </li><li>1.5A LDO (VTT)，帶緩衝的參考源(VTTREF) <ul class="lv2"> <li></li><li>高達 1.5A 電流吐納能力 </li><li>LDO 輸入可選，優化功率損失 </li><li>僅需 10μF 陶瓷輸出電容 </li><li>集成分壓器使 VTT 和 VTTREF 追蹤 1/2 VDDQ </li><li>VTTREF 和 VTT 的精準度：±20mV </li><li>支援 S3 的高阻狀態和 S4/S5 的軟關機操作 </li></ul> </li><li>符合 RoHS 規範，不含鹵素 </li></ul></div>
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4/LPDDR4 記憶體電源 </li><li>筆記型電腦 </li><li>SSTL18, SSTL15 和 HSTL 匯流排終端 </li></ul></div>
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