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RT6551A/B 是 DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4 記憶體系統的電源控制器，它將一組同步 Buck PWM 控制器、具有 1.5A 電流吐納能力的追蹤型線性穩壓器和具有緩衝輸出的低雜訊參考源集成在一起。PWM 控制器耗電低，轉換效率高，具有卓越的瞬態回應特性和高輸出電壓精度，可將高輸入電壓轉換為低輸出電壓，滿足筆記型電腦記憶體宮殿的需求。它採用固定導通時間控制架構，可以很容易地處理寬輸入/輸出電壓比的狀況，對負載瞬變可提供 100ns “即時”處理能力，同時還能保持相對固定的開關切換工作頻率，省略了傳統的電流模式控制架構中的電流檢測電阻，降低了成本，提高了效率。它具備驅動大型同步整流 MOSFET 的能力，可將電池高電壓直接轉換為系統需要的低電壓，使轉換效率達到了最大化。具備 1.5A 電流吐納能力的 LDO 具有快速瞬態回應能力，僅需使用 10μF 陶瓷輸出電容，還容許使用外部輸入以容許最大化地減少功率損耗。RT6551A/B 支援所有的休眠狀態控制功能，可在 S3 狀態下使 VTT 處於高阻狀態，可在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTTREF 進行放電操作。RT6551A/B 還具有 OVP、UVP 和熱關機保護功能，其封裝為 WQFN-20L 3x3。
RT6551A/RT6551B 電路圖
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>PWM 控制器 </li><li>經下橋 R<sub>DS(ON)</sub> 進行電流檢測實現可調的電流限制 </li><li>低靜態耗電 </li><li>100ns 快速瞬態回應 </li><li>全輸入/負載範圍內的1% V<sub>VDDQ</sub> 精度 </li><li>輸出電壓 0.675V~3.3V 可調，滿足 DDR2(1.8V)/DDR3(1.5V)/DDR3L(1.35V)/LPDDR3(1.2V)/DDR4(1.2V) 需要 </li><li>4.5V~26V 輸入電壓範圍 </li><li>工作頻率電阻可調 </li><li>過壓/欠壓保護 </li><li>內部電壓斜坡軟啟動 </li><li>驅動大型同步整流 MOSFET </li><li>Power Good 指示 </li><li>1.5A LDO(VTT)/帶緩衝參考源（VTTREF） </li><li>1.5A 吐納能力 </li><li>容許外接 LDO 輸入，優化功率損失 </li><li>僅需 10μF 陶瓷輸出電容 </li><li>集成分壓器，追蹤 1/2 VDDQ </li><li>±20mV VTTREF/VTT 精度 </li><li>支持高阻（S3）和軟關機（S4/S5） </li><li>符合 RoHS 規範，不含鹵素 </li></ul></div>
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<div class="spec-list"><ul class="lv1"><li>DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4 記憶體電源供應 </li><li>筆記型電腦 </li><li>SSTL18/SSTL15/HSTL 匯流排終端 </li></ul></div>
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