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单相同步降压型 DC/DC PWM 控制器

RT8120E/RT8120F

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RT8120E/F为用于驱动两组N-MOSFET的单相同步降压型DC/DC PWM控制器,可提供高精确率、可设计的输出电压,可藉由内部的0.8V ±1% (可选的0.6V ±1.5%) 参考电压以因应低调节电压的需求。RT8120E/F应用单回授的PWM电压模式控制以因应快速的瞬时响应。固定的操作频率300kHz降低了所需外加电感与电容的组件大小并节省PCB面积。RT8120E/F提供了因应高电流输出应用的快速瞬时响应并减少了所需外加组件的数量,适用于高效能的图像处理器、DDR与VTT电源。RT8120E/F并包含了外部补偿机制、内建的缓启动以及输出致能功能。RT8120E/F提供SOP-8 与 SOP-8 (裸露焊盘)的封装。

应用

  • 5V或12V电源系统
  • 显示适配器(AGP 8X, 4X, PCI Express*16)
  • 3.3V至12V输入DC/DC整流器
  • 低电压分布式电源供应
  • 主板
主要规格
RT8120E RT8120F
Status Active Active
Vs (typ) (V) 12;5 12;5
Vin (min) (V) 3 3
Vin (max) (V) 13.2 13.2
Vout (min) (V) 0.6 0.6
Vout (max) (V) 5 5
Output Adj. Method Resistor Resistor
Accuracy (+/- %) 1 1
Freq (typ) (kHz) 300 300
Iq (typ) (mA) 1.5 1.5
Ext Sync No No
Features Built-in Bootstrap Switch;Force PWM;OCP;OVP;SCP;UVP;Voltage Mode Control Built-in Bootstrap Switch;Force PWM;OCP;OVP;SCP;UVP;Voltage Mode Control
Package Type PSOP-8;SOP-8 PSOP-8;SOP-8
关键特性
  • 输入电压范围: 3V 至 13.2V
  • 内建自举二极管
  • 0.8V±1%, 0.6V±1.5%内部参考电压
  • 闸极驱动击穿保护
  • 固定操作频率300kHz
  • 内建缓启动机制
  • 藉由感测MOSFET RDS(ON)的过电流保护
  • 致能/关机控制
  • 驱动两组N-MOSFET
  • 责任周期范围: 0% 至 85%
  • 快速瞬时响应
  • 具备外部回路补偿的PWM电压模式控制
  • 不需外部引脚的LGATE过电流设置 (LGOCS)
  • 过电压保护
  • 低电压保护
  • 提供SOP-8 与 SOP-8 (裸露焊盘)的封装
  • 符合RoHS规范与无卤特性
Datasheet
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单相同步降压型 DC/DC PWM 控制器2015/04/29
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